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精密合金|Precision alloy

1J36
1J36

GB /T 14986-2008

上海

Kg

上海

一、1J36牌号概述1J36是一种典型的铁镍基软磁合金,属于因瓦合金(Invar)的一种,因其在居里温度以下具有极低的热膨胀系数而得名。其化学成分主要为:镍(Ni)含量:35.0%~37.0%铁(Fe)含量:余量其他元素:碳(C)≤0.03%、硅(Si)≤0.2%、锰(Mn)≤0.6%、磷(P)≤0.02%、硫(S)≤0.02%1J36合金的居里温度约为230℃,在低于此温度时,合金呈现铁磁性,且···

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    一、1J36牌号概述

    1J36是一种典型的铁镍基软磁合金,属于因瓦合金(Invar)的一种,因其在居里温度以下具有极低的热膨胀系数而得名。其化学成分主要为:

    • 镍(Ni)含量:35.0%~37.0%

    • 铁(Fe)含量:余量

    • 其他元素:碳(C)≤0.03%、硅(Si)≤0.2%、锰(Mn)≤0.6%、磷(P)≤0.02%、硫(S)≤0.02%

    1J36合金的居里温度约为230℃,在低于此温度时,合金呈现铁磁性,且热膨胀系数极低;高于此温度时,合金变为无磁性,热膨胀系数显著增大。

    二、材料性能

    1. 软磁性能

      • 高磁导率:1J36合金具有优良的初始磁导率,适合高频和高效能应用。

      • 低矫顽力:矫顽力通常在4~8 A/m,磁滞损耗低,易于磁化和退磁。

      • 高饱和磁感应强度:室温下饱和磁感应强度约为0.8 T,300℃时约为0.6 T,500℃时约为0.4 T。

      • 低剩余磁感应强度:剩磁密度约为0.5 T,适合需要快速响应的电磁器件。

    2. 热膨胀性能

      • 极低的热膨胀系数:在20℃到100℃范围内,热膨胀系数约为1.2×10⁻⁶/℃至1.5×10⁻⁶/℃,在室温至100℃范围内尺寸稳定性极佳。

      • 温度稳定性:在-50℃至100℃环境下,磁性能变化率小于10%,适合宽温域应用。

    3. 力学性能

      • 抗拉强度:约460 MPa

      • 伸长率:δ5约为40%

      • 硬度:通常在HB180-200之间,高温处理后略有下降,500℃下仍能保持在HB160左右。

      • 良好的加工性能:1J36合金易于进行压铸、铣削、焊接和成型等加工工艺。

    4. 耐腐蚀性能

      • 高耐腐蚀性:在高湿度、水气、盐雾或肼类介质中表现出优异的耐腐蚀性能,适合在恶劣环境中工作。

    5. 物理性能

      • 密度:约8.1 g/cm³

      • 电阻率:约0.8 μΩ·m

      • 热导率:较低,仅为45钢的1/3~1/4,适合需要低热导的应用。

    三、应用领域

    1. 电磁器件

      • 用于制造在氧化性介质和肼类介质中工作的电磁器件,如电磁阀、电枢、电磁铁、分动阀、液压阀的磁导体。

      • 在潮湿和侵蚀性介质中无防护层工作的各种控制装置。

    2. 精密仪器

      • 用于制造需要高尺寸稳定性的精密仪器和仪表,如光学仪器、天文望远镜、激光干涉仪等。

    3. 航空航天

      • 用于制造飞行器的高温部件,如发动机和控制系统,因其低热膨胀系数和高尺寸稳定性。

    4. 电子工业

      • 用于高频电子设备的磁屏蔽和精密仪器,如5G基站、数据中心电源模块中的高频电感、变压器磁芯。

    5. 钟表制造

      • 其热稳定性使其能够保持精确的尺寸和时间准确性,被广泛应用于制造钟表的内部部件。

    6. 量子通信与新兴领域

      • 在量子通信设备中用于超导电路磁通阱构造。

      • 在自旋电子学器件中,支持低磁各向异性,适用于磁随机存储器(MRAM)等。

    四、加工与热处理

    1. 热处理工艺

      • 消除应力退火:530~550℃,保温1~2小时,炉冷。

      • 中间退火:830~880℃,保温30分钟,炉冷或空冷。

      • 稳定化处理:获得低膨胀系数且性能稳定的处理。

    2. 焊接工艺

      • 可采用所有焊接工艺,包括钨电极焊、金属电弧焊、等离子焊、氩弧焊、手工电弧焊等。

      • 优先采用脉冲电弧焊,焊接前材料需处于退火态,干净、无油污,层间温度应低于120℃。

    3. 表面处理

      • 可采用喷砂、抛光或酸洗。酸洗可采用25% HCl溶液在70℃下清除氧化皮。

    五、技术优势与产业价值

    1. 系统能效优化:相比铁氧体材料,1J36器件在20 kHz以上频段损耗降低50%~70%。

    2. 空间压缩能力:相同功率等级下,磁性元件体积可缩减至传统设计的1/3。

    3. 信号保真度提升:在10~100 MHz频段,磁芯损耗角正切值(tanδ)下降2个数量级。

    4. 全生命周期成本:尽管材料单价较高,但器件寿命延长30%~50%,综合成本降低。

    六、未来技术融合趋势

    1. 太赫兹波导器件:利用超薄合金膜(<10 nm)的表面等离子体效应。

    2. 磁-光集成芯片:与铌酸锂薄膜结合实现电-磁-光信号转换。

    3. 量子比特保护:构建三维磁屏蔽腔体抑制退相干效应。